Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 6: Thin film photovoltaics: CIGSe + processing

DS 6.5: Vortrag

Montag, 26. März 2012, 12:15–12:30, H 2032

Untersuchung der Selenisierung von Cu2ZnSnS4 mit energiedispersiver Röntgenbeugung — •Ole Zander, Roland Mainz, Alfons Weber, Justus Just, Thomas Unold und Hans-Werner Schock — Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin

Die Selenisierung von sulfidischem Cu2ZnSnS4 (CZTS) durch schnelle thermische Prozessierung wurde mit Hilfe energiedispersiver Röntgenbeugung (EDXRD) in-situ untersucht. Dazu wurden verschiedene Präkursoren bestehend aus Binär- und Ternär- und Quarternärverbindungen des Cu-Zn-Sn-S Materialsystems durch Koverdampfung bei verschiedenen Substrattemperaturen hergestellt. Die Selenisierung der Präkursoren erfolgte durch schnelle Erhitzung unter Zugabe von elementarem Selen in einer Reaktionskammer am Bessy II Synchrotron. Durch die Beobachtung der Fluoreszenz- und Beugungssignale während der Selenisierung konnte die Bildung von CZTSe und Sekundärphasen, die Rekristallisation der Schichten, und der Verlust von Sn bei hohen Temperaturen beobachtet werden. Ein Modell welches die Kinetik der stattfindenden Teilprozesse und Substitutionsreaktionen beschreibt wird diskutiert.