Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 12: "New" Materials and New Physics in "Old" Materials II

HL 12.6: Vortrag

Montag, 26. März 2012, 13:00–13:15, EW 015

Wachstum und Charakterisierung von verdünnt - stickstoffhaltigem (GaIn)(NAs) auf InP mittels MOVPE — •Peter Ludewig, Katharina Werner, Wolfgang Stolz und Kerstin Volz — Fachbereich Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften, Philipps-Universität Marburg

Aktuelle optoelektronische Bauelemente mit einer Emissionswellenlänge von 1,55um bestehen aus (GaIn)(AsP)/(GaIn)(AsP)-MQW Strukturen, abgeschieden auf InP Substrat. Die Energieeffizienz und thermische Stabilität dieser Bauelemente ist allerdings sehr gering und externe Kühlung notwendig.

Durch das Ersetzen der aktiven (GaIn)(AsP) Schicht aktueller Bauelemente durch verdünnt stickstoffhaltiges (GaIn)(NAs) kann eine höhere thermische Stabilität der Bauelemente erreicht werden.

Es wurden (GaIn)(NAs)/(GaIn)(AsP)-MQW Strukturen mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) auf InP-Substrat abgeschieden. Dabei wurden Wachstumstemperaturen von 450°C und 500°C verwendet. Die optischen wie strukturellen Eigenschaften wurden mittels Photolumineszenz-Spektroskopie sowie hochauflösender Röntgenbeugung (HR-XRD) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) untersucht. Die Experimente zeigen, dass ein Stickstoffeinbau von bis zu 2% bei einem Indiumgehalt von ca. 40% erreicht werden kann. Mit steigender Stickstoffkonzentration ergibt sich eine Rotverschiebung der Emissionswellenlänge sowie eine Abnahme der integrierten Photolumineszenz-Intensität. HR-XRD wie TEM Untersuchungen weisen auf eine sehr gute Qualität der Schichten hin.