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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 24: Poster Session: Ge/Si/SiC / III - V Semiconductors

HL 24.12: Poster

Montag, 26. März 2012, 16:00–19:00, Poster D

Das Temperaturverhalten von Cd dotiertem Al_xGa_(x−1)N — •Patrick Kessler¹, Sahar Hamidi¹, Sérgio Miranda², Katharina Lorenz² und Reiner Vianden¹ — ¹Helmholtz-Intstitut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Bonn, Deutschland — ²Instituto Tecnológico e Nuclear, Sacavém, Portugal

Für verschiedene Anteile von Al wurde das Temperaturverhalten von Cd dotiertem AlGaN untersucht.

Mit der Methode der gestörten Winkelkorrelation wird der elektrische Feldgradient (EFG) in der Umgebung von Sondenatomen untersucht. Dazu werden radioaktive ^111mCd und ¹¹⁷Cd Isotope in dünne AlGaN Schichten auf Saphir Substrat mit einer Energie von 30 keV implantiert. Die dadurch verursachten Kristallschäden werden unter Stickstofffluss bei einer Temperatur von 1220 K ausgeheilt.

Im Gegensatz zu ¹¹¹In, das zu ¹¹¹Cd zerfällt und zwei Sondenumgebungen in AlGaN zeigt, ist bei den Sonden ^111mCd und ¹¹⁷Cd nur eine definierte Umgebung beobachtbar. Mit steigender Temperatur und Al Anteil nimmt der dazugehörige EFG zu. Zusätzlich wird beobachtet. dass die Kristallqualität mit dem Al Anteil zunimmt.