Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 64: GaN: Preparation and Characterization III
HL 64.8: Vortrag
Mittwoch, 28. März 2012, 18:15–18:30, EW 202
Bestimmung der Gitterparameter in orthorombisch verzerten semipolaren und unpolaren Wurtzitstrukturen — •Martin Frentrup, Tim Wernicke, Markus Pristovsek und Michael Kneissl — TU Berlin, EW 6-1, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
Heteroepitaktisch gewachsene Nitridhalbleiterschichten mit semi- oder nichtpolarer Orientierung werden durch anisotrope Gitterfehlanpassungen rhomboedisch verzerrt. Dies macht die exakte Bestimmung der Gitterparameter und somit der Stöchiometrie in solchen Schichten mit hochauflösender Röntgenbeugung schwierig.
Wir haben ein Model entwickelt, das diese orthorombische Verzerrung berücksichtigt und mit dessen Hilfe es möglich ist die Gitterparameter und die Verzerrung an Hand nur weniger Röntgenreflexe zu bestimmen. Durch günstige Wahl der Koordinatenachsen und Ausnutzung von Symmetrien konnten wir die Zahl der unabhängigen Parameter von sechs auf vier reduzieren. Unter der Annahme, dass die Verzerrung nur zu einer kleinen Abweichung von der idealen Wurtzitstruktur führt, lässt sich die verallgemeinerte Gleichung für den Netzebenabstand dhkl linearisieren. Dadurch reichen bereits vier voneinander unabhängige XRD-Reflexe aus, um das Gleichungssystem zu lösen und die vier Parameter eindeutig zu bestimmen. Hieraus können mit Hilfe unseres Models weitere Informationen zur Kristallschicht, wie die Gitterfehlanpassug, der Verspannungszustand und die stöchiometrische Zusammensetzung berechnet werden.