Berlin 2012 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 66: Transport Properties III (Experiments)

HL 66.2: Vortrag

Mittwoch, 28. März 2012, 18:30–18:45, ER 164

Transporteigenschaften von (BGa)((As)P)-Kontaktschichten für monolithisch integrierte Ga(NAsP)-Laser auf Si-(001)-Substraten — •Christian Lück¹, Martin Zimprich¹, Sven Liebich¹, Andreas Arndt¹, Andreas Beyer¹, Bernardette Kunert², Kerstin Volz¹ und Wolfgang Stolz¹ — ¹Struktur- und Technologieforschungslabor (STRL) und Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg, Hans-Meerwein-Straße, 35032 Marburg — ²NAsP III/V GmbH, Am Knechtacker 19, 35041 Marburg

Die monolithische Integration von aktiven optischen Komponenten in die Silizium-Nanoelektronik führt zu neuartigen integrierten Schaltkreisen. Der hier vorgestellte Lösungsansatz für die Laserkomponente ist das verdünnt-stickstoffhaltige Materialsystem Ga(NAsP), das eine direkte Energielücke aufweist und gitterangepaßt auf Si-(001)-Substrat mittels der metall-organischer Gasphasenepitaxie abgeschieden werden kann. Erste Breitstreifenlaserstrukturen zeigen Laseremission bis 165 K mit einem Schwellstrom von 1,5 kA/cm² [1]. In diesen gitterangepassten Laserstrukturen werden (BGa)P-Kontaktschichten sowie (BGa)(AsP)-Wellenleiterschichten eingesetzt. Die elektrischen Transporteigenschaften dieser Schichtstrukturen wurden eingehend mittels temperatur-abhängiger Magnetotransportmessungen als Funktion der Dotierung und der Zusammensetzung aufgeklärt und im Hinblick auf den möglichen Einsatz in effizienten elektrischen Injektionslaserstrukturen auf Si (001)-Substrat optimiert.

Liebich et al., Appl. Phys. Lett. 99, 071109 (2011).