Berlin 2012 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 92: Poster Session: II-VI Semiconductors & ZnO and related Materials

HL 92.24: Poster

Thursday, March 29, 2012, 16:00–19:00, Poster D

Temperaturabhängigkeit des elektrischen Feldgradienten von In in ZnO bei verschiedener Dotierung — •Philipp Krumbholz und Reiner Vianden — Helmholtz-Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn, Bonn, Deutschland

Es wird die Temperaturabhängigkeit des elektrischen Feldgradienten (EFG) von implantiertem ¹¹¹In als Sonde in ZnO bei unterschiedlicher Dotierung mit der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) untersucht.

Dazu wurde einkristallines ZnO mit den Dotierungen ²⁷Al, ¹¹⁵In (Donator), ⁸⁷Rb (wahrscheinlicher Akzeptor) und ⁵¹V, ⁵²Cr (Ferromagnetismus) implantiert und mit ¹¹¹In als Sonde nachimplantiert, um durch die Ladungsträgerkonzentration den EFG zu beeinflussen. Anschließend wurde das Ausheil- und Temperaturverhalten des EFG beobachtet.

Ergebnisse werden präsentiert und mit den Ergebnissen von Sato et al. [1] verglichen.

[1] W. Sato, et al., Phys. Rev. B 78, 045319 (2008)