Göttingen 2012 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 65: Halbleiterdetektoren: Neue Materialien und Konzepte

T 65.4: Vortrag

Mittwoch, 29. Februar 2012, 17:30–17:45, ZHG 001

Charakterisierung von planaren- und 3d-Sensor-Modulen für das ATLAS Pixeldetektor Upgrade — •David-Leon Pohl¹, Malte Backhaus¹, Jörn Grosse-Knetter², Fabian Hügging¹, Jens Janssen¹, Hans Krüger¹, Jens Weingarten² und Norbert Wermes¹ — ¹Physikalisches Institut, Universität Bonn — ²Physikalisches Institut, Universität Göttingen

Der ATLAS Pixeldetektor wird 2013 um eine zusätzliche 4. Fasslage aus hybriden Silizium-Pixel-Detektoren erweitert, um nach der Erhöhung der Luminosität auf 10³⁴ cm⁻²s⁻¹ und den nicht zu vermeidenden Strahlenschäden eine ausreichende Spurrekonstruktionseffizienz zu gewährleisten. Die zusätzliche Lage (’Insertable B-Layer’, kurz: IBL) befindet sich nur 3,1 cm von der Strahlachse entfernt. Dies stellt hohe Anforderungen an die Strahlenhärte (5· 10¹⁵ N_eq), den Materialaufwand (<2% X/X₀) und die Pile-Up Unterdrückung . Daher wurden im Rahmen des IBL Projekts neuartige Sensoren (gedünnt, 3d-Silizium, Diamant) auf ihre Einsatzfähigkeit untersucht und ein neuer Pixelauslesechip (FE-I4) entwickelt. Der IBL soll 2013/14 fertig gestellt werden und aus 168 2-Chip Modulen und 112 1-Chip Modulen bestehen. Die 2-Chip Module sind mit planaren n-in-n Siliziumsensoren realisiert und die 1-Chip Module mit 3d-Siliziumsensoren (CNM/FBK). Prototypen dieser Module wurden charakterisiert und die Ergebnisse werden in dem Vortrag vorgestellt.