Göttingen 2012 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 65: Halbleiterdetektoren: Neue Materialien und Konzepte
T 65.6: Vortrag
Mittwoch, 29. Februar 2012, 18:00–18:15, ZHG 001
Untersuchungen zur Ladungsmultiplikation bei hochbestrahlten Siliziumstreifensensoren — •Lokman Altan, Tobias Barvich, Felix Bögelspacher, Wim de Boer, Alexander Dierlamm, Karl-Heinz Hoffmann und Pia Steck — Institut für Experimentelle Kernphysik (EKP), KIT
Durch den Ausbau des LHC zum HL-LHC (high luminosity) am CERN wird die Strahlenbelastung an den Siliziumstreifensensoren gesteigert. Die Luminosität wird dabei in den nächsten Jahren um mindestens einen Faktor fünf erhöht (L= 5· 1034 1/cm2 s). Die heutigen Siliziumstreifensensoren können dieser immensen Strahlenbelastung auf Dauer nicht standhalten und können schon nach kurzer Zeit ihre volle Leistungsfähigkeit nicht mehr abrufen.
Die zu entwickelnden Sensoren müssen in Zukunft einer Fluenz von bis zu 1016 neq/cm2 standhalten.
Entscheidend für die weitere Entwicklung der Siliziumstreifensensoren ist der Einfang freier Ladungsträger an Defekten, die durch die Strahlung induziert werden.
Nach neusten Messungen wird erkennbar, dass die Ladungssammlungseffizienz nach Bestrahlung größer eins ist und somit eine größere Anzahl an Ladungen nachgewiesen wird.
In dieser Arbeit werden die Eigenschaften der Ladungsmultiplikation im Hinblick auf verschiedene Geometrien und Prozessierungsschritte der Streifensensoren bei unterschiedlicher Bestrahlung untersucht.