Göttingen 2012 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 66: Halbleiterdetektoren: Strahlenhärte und neue Materialien

T 66.2: Talk

Thursday, March 1, 2012, 17:00–17:15, ZHG 001

(Beitrag abgesagt) Simulation von Siliziumsensoren — Wim de Boer, Alexander Dierlamm, Robert Eber, Karl-Heinz Hoffmann, Thomas Müller, Andreas Nürnberg, •Christoph Rennebaum und Mike Schmanau — Institut für Experimentelle Kernphysik (EKP), KIT

Hinsichtlich des Upgrades des LHC (Large Hadron Collider) zum HL-LHC (High Luminosity LHC) wird die Strahlenbelastung in den Siliziumsensoren des CMS Spurdetektor so stark ansteigen, dass die bisherigen Sensoren nach kurzer Zeit funktionsunfähig wären. Deshalb werden zur Zeit viele Materialstudien durchgeführt, um geeignete Sensoren für dieses Strahlungsumfeld zu bauen. Um die Eigenschaften der Materialen zu verstehen werden sie bestrahlt, vermessen und für ein tieferes Verständnis des Materials sowie zur Extrapolation auf die spätere Strahlungsumgebung simuliert. Dazu muss verstanden werden, wie sich Strahlenschäden auf die Eigenschaften der Materialen auswirken. Diese Strahlenschäden werden durch verschiedene Trapmodelle in die Simulationssoftware Silvaco Atlas implementiert, um mittels numerischer Device-Simulationen Observable wie der Leckstrom, die Kapazität und das Signalverhalten vor und nach Bestrahlung nachzustellen. Einige dieser Trapmodelle und deren Simulationsergebnisse werden präsentiert.