Göttingen 2012 – scientific programme
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 67: Halbleiterdetektoren: Strahlenschäden
T 67.2: Talk
Friday, March 2, 2012, 08:45–09:00, ZHG 001
Strahlenhärtestudien an Dioden verschiedener Dicke und verschiedenen Typs — Tobias Barvich1, Wim de Boer1, Alexander Dierlamm1, Irena Dolenc-Kittelmann3, •Robert Eber1, Joachim Erfle2, Markus Gabrysch3, Karl-Heinz Hoffmann1, Thomas Müller1, Thomas Pöhlsen2, Nicola Pacifico3 und Pia Steck1 — 1Institut für Experimentelle Kernphysik (EKP), KIT — 2Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg — 3CERN
Im Rahmen der groß angelegten Studie zur Ermittlung der zukünftigen Sensortechnologie des CMS-Spurdetektor nach dem Upgrade des LHC werden Dioden eines Herstellers mit verschiendenen Grundmaterialien und verschiedenen Dicken hinsichtlich ihrer Strahlenhärte untersucht. Die Ladungssammlungseffizienz für Dioden, welche mit Protonen, Neutronen oder mit beiden Teilchensorten gemischt zu Fluenzen von mehr als F=1014neq bestrahlt wurden, geben Aufschluss über den Schädigungsgrad der Sensoren. Mittels TCT-Messungen und Simulationen werden Trappingzeiten und elektrische Felder bestimmt, welche das Ladungssammlungssammlungsverhalten im Detektor maßgeblich beeinflussen. Auf Unterschiede zwischen den einzelnen Materialien und Typen wird näher eingegangen.