Göttingen 2012 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 67: Halbleiterdetektoren: Strahlenschäden
T 67.5: Vortrag
Freitag, 2. März 2012, 09:30–09:45, ZHG 001
Eigenschaften von p-Typ Silizium-Dioden nach Bestrahlung mit Protonen und Neutronen — •Coralie Neubüser, Eckhart Fretwurst, Alexandra Junkes, Robert Klanner, Thomas Pöhlsen und Roxana Radu — Universität Hamburg
n+−p−p+ Silizium-Sensoren gelten als gute Kandidaten für den Einsatz in Spurdetektoren in Experimenten am geplanten high luminosity Large Hadron Collider (hl LHC). Die effektive Dotierungskonzentration und der Sperrstrom von p-Typ Flächendioden wurden nach der Bestrahlung mit 23 GeV Protonen und 1 MeV Neutronen mit equivalenten Neutronenflüssen im Bereich von Φeq=1× 1011−1×1016 cm−2 mit Hilfe von Kapazitäts-Spannungs (CV) und Strom-Spannungs (IV) Charakteristika untersucht. Zusätzlich wurden die Abhängigkeiten der Konzentration der strahleninduzierten Defekte im Siliziumkristall von der Tiefe im Detektor und die Gesamtkonzentrationen mit Hilfe von Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) bestimmt. Die Resultate werden mit Ergebnissen von Messungen an n-Typ Dioden verglichen.