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08:30 |
T 67.1 |
Einfluss von Strahlenschäden auf die charakteristischen Streifenkenngrößen von Siliziumstreifensensoren unterschiedlicher Grundmaterialien — Tobias Barvich, Felix Bögelspacher, Alexander Dierlamm, Sabine Frech, Frank Hartmann, •Karl-Heinz Hoffmann, Thomas Müller und Pia Steck
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08:45 |
T 67.2 |
Strahlenhärtestudien an Dioden verschiedener Dicke und verschiedenen Typs — Tobias Barvich, Wim de Boer, Alexander Dierlamm, Irena Dolenc-Kittelmann, •Robert Eber, Joachim Erfle, Markus Gabrysch, Karl-Heinz Hoffmann, Thomas Müller, Thomas Pöhlsen, Nicola Pacifico und Pia Steck
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09:00 |
T 67.3 |
Systematische Untersuchung verschiedener Siliziummaterialien auf Strahlenhärte für den HL-LHC — •Joachim Erfle, Alexander Dierlamm, Robert Eber, Doris Eckstein, Karl-Heinz Hoffmann, Alexandra Junkes, Evangelos Nagel, Coralie Neubüser, Andreas Nürnberg, Thomas Pöhlsen, Christian Scharf, Georg Steinbrück und Henning Wenck
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09:15 |
T 67.4 |
Bestimmung der Lebensdauern von Ladungsträgern in strahlengeschädigtem Silizium — •Thomas Pöhlsen, Joachim Erfle und Eckhart Fretwurst
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09:30 |
T 67.5 |
Eigenschaften von p-Typ Silizium-Dioden nach Bestrahlung mit Protonen und Neutronen — •Coralie Neubüser, Eckhart Fretwurst, Alexandra Junkes, Robert Klanner, Thomas Pöhlsen und Roxana Radu
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09:45 |
T 67.6 |
Study of point and cluster related defects in electron irradiated silicon — •Roxana Radu, Eckhart Fretwurst, and Ioana Pintilie
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10:00 |
T 67.7 |
Aufbau und Charakterisierung eines Messstandes zur Untersuchung strahlengeschädigter Siliziumsensoren mit einer β-Quelle — •Henning Kröhnke, Rober Klanner, Sergej Schuwalow und Georg Steinbrück
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10:15 |
T 67.8 |
Annealing study of defects at the Si-SiO2 interface introduced by 12 keV X-rays — •Jiaguo Zhang, Eckhart Fretwurst, Robert Klanner, Ioana Pintilie, and Joern Schwandt
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