Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Aktualisierungen | Downloads | Hilfe

T: Fachverband Teilchenphysik

T 70: Halbleiterdetektoren: Belle II

T 70.8: Vortrag

Mittwoch, 29. Februar 2012, 18:35–18:50, ZHG 005

Charakterisierung von DEPFET Pixelsensoren für den Belle II Vertexdetektor — •Florian Lütticke, Carlos Marinas, Hans Krüger und Norbert Wermes — Physikalisches Institut, Universtität Bonn, Deutschland

Ein wichtiger Bestandteil bei Experimenten der Teilchenphysik sind Vertexdetektoren. Bei dem zukünftigen Super-KEKB Beschleuniger am KEK Forschungszentrum in Tsukuba, Japan wird eine um den Faktor 40 höhere instantane Luminosität erwartet, was ein Upgrade des Belle Detektors zu Belle II erfordert. Die innersten Lagen des neuen Vertexdetektors werden aus DEPFET Pixeldetektoren bestehen, deren hohe Granularität den Betrieb bei der geplanten instantane Luminosität ermöglicht. Ein DEPFET Pixel bestehen aus einem MOSFET unter dessen Gate sich ein zweites, so genanntes Internes Gate zur Ladungssammlung befindet. Gesammelte Ladung wandert in dem per Seitwärtsdepletion verarmten Detektorvolumen in das interne Gate und moduliert den Source-Drain-Strom des MOSFET Transistors, der als erste Verstärkungsstufe dient. Die neuesten DEPFET Pixel Generation (PXD6) ist verglichen mit der vorherigen auf 50 Micrometer gedünnt und enthält größere Pixel. Dies macht neue Pixelgeometrien notwendig. Zur Untersuchung der Sensoren werden Messungen mit radioaktiven Quellen sowie Messungen mit einem subpixelgenauen Lasersystem vorgenommen und hier präsentiert.