Stuttgart 2012 – wissenschaftliches Programm

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SYPP: Symposium Actual trends in pulsed power technology

SYPP 1: Pulsed Power I: Komponenten und Modulatoren

SYPP 1.2: Hauptvortrag

Dienstag, 13. März 2012, 11:00–11:30, V57.03

SiC-Thyristoren für die Hochleistungsimpulstechnik — •Sigo Scharnholz — Deutsch-Französisches Forschungsinstitut (ISL), Saint Louis, Frankreich

Bei der Konzeption und Realisierung von Pulsed-Power Systemen werden heute zunehmend Leistungs-Halbleiterbauelemente als Schalter in Betracht gezogen. Für Anwendungen, die ein hohes Lastintegral und Spitzenströme im Bereich von mehreren hundert Kilo-Ampere erfordern, sind Hochleistungs-Thyristoren das Schaltbauelement der Wahl. Um die Limitierung heutiger, auf Silizium-Thyristoren basierender Pulsed-Power Systeme hinsichtlich Leistungsdichte und Schaltgeschwindigkeit zu überwinden, erscheinen Thyristoren aus Siliziumkarbid (SiC)besonders vielversprechend.

Ausgehend von einem Vergleich mit anderen, für die Hochleistungsimpulstechnik zukunftsträchtigen Halbleitermaterialen (GaN, Diamant) und -Bauelementen, möchte dieser Beitrag einen Überblick über die Evolution und den aktuellen Stand der Entwicklung von SiC-Thyristoren vermitteln. Dabei sollen sowohl die aktuellen Ergebnisse und Trends der weltweiten Forschung auf diesem Gebiet als auch ganz konkrete, von der Forschungsgruppe des ISL und seinen Partnern durchgeführte Arbeiten beleuchtet werden.