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T: Fachverband Teilchenphysik

T 64: Halbleiterdetektoren: Forschung und Entwicklung 4

T 64.3: Vortrag

Mittwoch, 6. März 2013, 17:15–17:30, GER-007

Messung von SiPM-Betriebsparametern bei verschiedenen Temperaturen und ihre Simulation in GEANT4 — •Andreas Künsken¹, Carsten Heidemann², Thomas Hebbeker², Markus Merschmeyer², Simon Nieswand² und Tim Niggemann² — ¹III. Physikalisches Institut B, RWTH Aachen, D-52056 Aachen — ²III. Physikalisches Institut A, RWTH Aachen, D-52056 Aachen

Für den Betrieb von Silizium-Photomultipliern (SiPMs) ist die Kenntnis der SiPM-Eigenschaften bei verschiedenen Temperaturen notwendig. Um diese zu messen, wurde mithilfe von Peltierelementen ein Kühlsystem für Silizium-Photomultiplier entworfen und in Betrieb genommen. Die thermische Rauschrate und die Dunkelrauschrate sowie die crosstalk- und afterpulse-Wahrscheinlichkeit verschiedener SiPM-Typen werden bei Temperaturen von 20°C, 15°C und 10°C analysiert. Die gemessenen Parameter werden zur Verbesserung spezieller SiPM- Simulationen in GEANT4 verwendet.