Dresden 2013 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 65: Halbleiterdetektoren: Forschung und Entwicklung 5

T 65.3: Vortrag

Donnerstag, 7. März 2013, 17:15–17:30, GER-007

Messungen an DEPFET Pixelsensoren und Ausleseelektronik für den Belle II Vertexdetektor — •Florian Lütticke, Tobias Kleinohl, Hans Krüger, Mikhael Lemarenko, Carlos Marinas und Norbert Wermes — Physikalisches Institut, Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn

Der zukünftige Super-KEKB Beschleuniger am KEK Forschungszentrum in Tsukuba, Japan wird eine um den Faktor 40 höhere Luminosität liefern. Um die höhere Ereignisrate ausnutzen zu können, ist eine Aufrüstung des Belle Detektors zu Belle II erforderlich. In Zuge dieser Aufrüstung werden die innersten beiden Lagen des neuen Vertexdetektors näher an den Interaktionspunkt verschoben, um eine höhere Vertexauflösung zu erreichen. Für Belle II werden diese beiden Lagen aus DEPFET Pixelsensoren bestehen. Ein DEPFET Pixel besteht aus einem MOSFET unter dessen Gate sich ein zweites, so genanntes internes Gate zur Ladungssammlung befindet. Gesammelte Ladung wandert in dem per Seitwärtsdepletion verarmten Detektorvolumen in das interne Gate und moduliert den Source-Drain-Strom des MOSFET Transistors, der als erste Verstärkungsstufe dient. Dieser Strom wird im Drain-Current-Digitizer (DCDB) in digitale Werte gewandelt, die kontinuierlich ausgelesen werden. An diesem Detektorsystem werden Messungen vorgenommen, die das Verhalten des Systems vor und nach Bestrahlung mit 20 MeV Elektronen am ELSA Beschleuniger in Bonn untersuchen.