Dresden 2013 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 66: Halbleiterdetektoren: Strahlenhärte, neue Materialien und Konzepte 1
T 66.6: Vortrag
Dienstag, 5. März 2013, 18:05–18:20, GER-009
Vergleich von Strahlenschäden erzeugt durch Protonen unterschiedlicher Energien in Silizium Sensoren — •Coralie Neubüser1, Doris Eckstein2, Joachim Erfle1, Eckhart Fretwurst1, Erika Garutti1, Alexandra Junkes3, Thomas Pöhlsen1 und Georg Steinbrück1 — 1Universität Hamburg — 2DESY, Hamburg — 3Brown University, Providence
Es wurde die Strahlenschädigung von n-dotierten sauerstoffreichen Silizium-Flächendioden untersucht. Diese wurden mit 23 GeV und 23 MeV Protonen im Fluenzbereich von einigen 1013neq/cm2 bis zu 1.5×1015neq/cm2 bestrahlt. Die induzierten Strahlenschäden wurden mit Hilfe von makroskopischen (CV-/IV-Charakteristiken und Transient Current Technique (TCT)) und mikroskopischen (Thermally Stimulated Current (TSC)) Messmethoden charakterisiert. Somit konnten die strahleninduzierten Änderungen der effektiven Dotierungskonzentration bzw. der Verarmungsspannung, des Sperrstroms und der Ladungssammlung sowie der Defektkonzentrationen untersucht und verglichen werden. Die erzielten Ergebnisse werden vorgestellt und diskutiert.