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16:45 |
T 66.1 |
Gruppenbericht:
A Charge Collection Study with Dedicated RD50 Charge Multiplication Sensors — •Christopher Betancourt, Thomas Barber, Marc Hauser, Karl Jakobs, Susanne Kühn, Ulrich Parzefall, and Sven Wonsak
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17:05 |
T 66.2 |
Untersuchung der Akkumulationsschicht in segmentierten p+n Si Streifensensoren vor und nach Bestrahlung mit 1 MGy Röntgenstrahlen — •Thomas Poehlsen, Eckhart Fretwurst, Robert Klanner, Jörn Schwandt und Jiaguo Zhang
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17:20 |
T 66.3 |
Vergleich dünner n- und p-Typ Silizium-Pixeldetektoren — Jörn Große-Knetter, Arnulf Quadt, •Julia Rieger und Jens Weingarten
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17:35 |
T 66.4 |
Systematische Untersuchung verschiedener Siliziummaterialien auf Strahlenhärte für den HL-LHC — •Joachim Erfle, Doris Eckstein, Erika Garutti, Alexandra Junkes, Coralie Neubüser, Thomas Pöhlsen und Georg Steinbrück
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17:50 |
T 66.5 |
X-ray induced radiation damage at the Si-SiO2 interface of silicon sensors — •Jiaguo Zhang, Eckhart Fretwurst, Robert Klanner, Ioannis Kopsalis, and Joern Schwandt
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18:05 |
T 66.6 |
Vergleich von Strahlenschäden erzeugt durch Protonen unterschiedlicher Energien in Silizium Sensoren — •Coralie Neubüser, Doris Eckstein, Joachim Erfle, Eckhart Fretwurst, Erika Garutti, Alexandra Junkes, Thomas Pöhlsen und Georg Steinbrück
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18:20 |
T 66.7 |
Messungen zur Modellierung der erwarteten Rekonstruktion von Teilchendurchgängen im zukünftigen CMS-Spurdetektor — Tobias Barvich, Alexander Dierlamm, Robert Eber, Sabine Frech, Karl-Heinz Hoffmann, Thomas Müller, Andreas Nürnberg, •Reinhard Randoll und Pia Steck
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18:35 |
T 66.8 |
Radiation damage studies on silicon diodes irradiated with electrons — •Roxana Radu, Eckhart Fretwurst, Robert Klanner, and Ioana Pintilie
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18:50 |
T 66.9 |
Charge collection measurements of irradiated silicon strip sensors using the Alibava setup — •Ole Brandt, Joachim Erfle, Eckhart Fretwurst, Erika Garutti, Sergej Schuwalov, and Georg Steinbrück
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