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T: Fachverband Teilchenphysik

T 68: Halbleiterdetektoren: Strahlenhärte, neue Materialien und Konzepte 3

T 68.8: Vortrag

Donnerstag, 7. März 2013, 18:30–18:45, GER-009

Simulationen von Strahlenschäden in Siliziumsensoren mit einem effektiven Defekt-Modell — Tobias Barvich, Wim de Boer, Alexander Dierlamm, •Robert Eber, Thomas Müller und Pia Steck — Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP), KIT

Strahlenschäden beeinflussen maßgeblich die Funktion und Effizienz von Siliziumsensoren in Experimenten am LHC. Defekte, die in Silizium durch Bestrahlung entstehen, beeinflussen das elektrische Feld im Sensor und führen zu einer veränderten Ladungsträgerdrift und Ladungsträgereinfang an diesen Defekten. Diese können in der Simulation stellvertretend für viele gemessene Defekte mit effektiven Energieniveaus in der Bandlücke nachgestellt werden. Zur Vorhersage wichtiger Sensorparameter, wie Ladungssammlung und TCT-Messungen, die im Rahmen der CMS-Tracker-Sensorentwicklung durchgeführt werden, wird ein effektives Defekt-Modell diskutiert.