Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Aktualisierungen | Downloads | Hilfe

Q: Fachverband Quantenoptik und Photonik

Q 43: Poster II

Q 43.1: Poster

Mittwoch, 20. März 2013, 16:00–18:30, Empore Lichthof

Ho:YLF Laser mit direkter Anregung durch einen GaSb-Laserdiodenstack bei 1940 nm — Karsten Scholle, •Felix Gatzemeier, Samir Lamrini, Peter Fuhrberg und Philipp Koopmann — LISA laser products OHG, Max-Planck-Str. 1, 37191 Katlenburg

Lasersysteme im Wellenlängenbereich um 2100 nm sind aufgrund ihrer Eigenschaften vielfältig einsetzbar, z. B. in der Medizin, der Kunststoffbearbeitung oder der Messtechnik. Außerdem können sie zur Anregung von optisch parametrischen Oszillatoren für die nichtlineare Frequenzkonversion in den mittelinfraroten Wellenlängenbereich genutzt werden. Ho:YLF Laser mit ihrer hohen Strahlqualität und polarisierten Emission eignen sich besonders gut für diese Anwendungen. Die richtungsabhängige Absorption des Kristalls kann bei der Anregung durch Laserdioden optimal ausgenutzt werden.

Bisher wurden Ho:YLF Laser immer mit Tm-Festkörper- oder Faserlasern angeregt, was zu komplexen Gesamtsystemen mit geringer Effizienz führt. Wir präsentieren einen Ho:YLF Hochleistungslaser, der erstmals mithilfe eines GaSb-basierten Laserdiodenstacks resonant angeregt wurde. Dabei wurden eine maximale Ausgangsleistung von 11,6 W und ein differentieller Wirkungsgrad von 25 % erzielt (0 °C Kristalltemperatur). Bei Raumtemperatur betrug die Ausgangsleistung bis zu 8,7 W. Die Emissionswellenlänge des Lasers war abhängig vom Auskoppelgrad und lag zwischen 2100 nm und 2060 nm.