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DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 12: Poster Session II: Functionalized semiconductor nanowires (jointly with HL); Resistive switching (jointly with DF, KR, HL); Thermoelectric materials

DS 12.4: Poster

Montag, 11. März 2013, 17:00–20:00, Poster B1

Einfluss der Prozessparameter auf das Wachstum von ZnO-Nanodrähten — •Matthias Ogrisek, Andreas Johannes und Carsten Ronning — Friedrich-Schiller-Universität, Jena, Deutschland

ZnO Nanostrukturen können sehr einfach über Gasphasentransport und -Abscheidung in einem horizontalen Rohrofen synthetisiert werden. In den vergangenen Jahren stand hier insbesondere die Herstellung von ZnO Nanodrähten über den Vapor-Liquid-Solid (VLS) Mechanismus im Fokus. Dabei ist das Verständnis über die wechselseitigen Einflüsse der einzelnen Prozessparameter auf die resultierenden Nanostrukturen nicht vollständig geklärt. ZnO Nanodrähte und andere Strukturen wurden durch thermisches Verdampfen von ZnO:C Pulver (carbothermal method) auf verschiedenen Substraten (SiO2, AZO) gewachsen. Die sich gegenseitig beeinflussenden Prozessparameter erlauben dabei das Wachstum von Nanodrähten bei sehr unterschiedlichen Bedingungen. Untersucht wurden die erzeugten ZnO Nanostrukturen mittels Rasterelektronenmikroskopie (REM) und Photolumineszenz-Spektroskopie (PL). Über den Vergleich der Bandkantennahen- und Defektbandemission lassen sich Rückschlüsse auf die relative Defektkonzentration ziehen.