Regensburg 2013 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 53: GaN: Devices

HL 53.2: Talk

Wednesday, March 13, 2013, 10:15–10:30, H15

Strukturelle Charakterisierung von AlInN/AlN/GaN FET Strukturen — •Andreas Lesnik, Jürgen Bläsing, Jonas Hennig, Armin Dadgar und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Universitätsplatz 2, 39106 Magdeburg

FETs auf Basis von AlInN/GaN Heterostrukturen weisen eine weitaus höhere Leitfähigkeit im Vergleich zu den üblichen FETs mit AlGaN/GaN auf. Wir haben daher Serien von AlInN(~5nm)/AlN(~1nm)/GaN FETs mittels MOCVD hergestellt und mit Hilfe der Röntgenreflektometrie (XRR), hochauflösenden Röntgenbeugung (HRXRD) und Röntgenfluoreszenzanalyse unter streifendem Einfall (GIXRF) untersucht. Durch die alleinige Untersuchung der Schichtstruktur mittels XRR und HRXRD konnte die Schichtstruktur nicht vollständig charakterisiert werden. Erst eine weitergehende Untersuchung der Proben durch GIXRF und der Kombination mit den anderen Messverfahren ermöglichte es, die Struktur quantitativ zu bestimmen. Insbesondere das Vorhandensein des AlN Spacers und dessen Komposition konnte erst durch weiterführende GIXRF Untersuchungen verifiziert werden.