Dresden 2014 – scientific programme

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DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 35: Poster I: Application of thin films; Focus session: Sensoric micro and nano-systems; Focus Session: Sustainable photovoltaics with earth abundant materials; Graphen (joint session with TT; MA; HL; DY; O); Ion and electron beam induced processes; Layer properties: electrical, optical, and mechanical properties; Magnetic/organic interfaces, spins in organics and molecular magnetism; Micro- and nanopatterning (jointly with O); Organic electronics and photovoltaics (jointly with CPP, HL, O); Thermoelectric materials

DS 35.8: Poster

Wednesday, April 2, 2014, 17:00–20:00, P1

Homoepitaxial growth of single crystalline diamond — •Reinhard Remfort, Nicolas Wöhrl, and Volker Buck — University of Duisburg-Essen, Germany

Störstellen in Diamant stellen zentrale Elemente für eine Vielzahl von Anwendungen z.B. in der Quanteninformations- und Sensortechnologie dar. Diese Zentren, insbesondere das Stickstoff-Leerstellen (NV)-Zentrum werden daher seit einigen Jahren intensiv erforscht. Um die Eigenschaften dieser Zentren besser charakterisieren zu können und in größerem Maßstab nutzbar zu machen ist es nötig den Einfluss umliegender weiter Defekte zu minimieren. Ein erster Schritt hierbei ist die Erzeugung besonders reiner stickstoffarmer einkristalliener Diamantschichten. Das für diese Anforderungen am besten geeignete Verfahren bietet im Bereich der Niederdruckdiamantsynthese die MPCD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition), da bei dieser Art der Diamantsynthese keine Elektroden für die Plasmaanregung erforderlich sind. Durch die zusätzliche Verwendung reiner Prozessgase ist es daher möglich sehr stickstoffarme Diamantschichten auf HPHT-Diamantsubstraten abzuscheiden. In einem weiteren Schritt können dann gezielt Stickstoffatome zur Erzeugung von (NV)-Zentren eingebracht werden. Dies kann entweder durch Ionenimplatation oder schon während des Syntheseprozesses durch die gezielte Beimischung sehr geringer Mengen Stickstoff geschehen.