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T: Fachverband Teilchenphysik

T 117: Halbleiter 8

T 117.2: Vortrag

Donnerstag, 27. März 2014, 17:00–17:15, P108

Annealing an bestrahlten ATLAS-n⁺-in-n-Pixel-Siliziumsensoren — Silke Altenheiner¹, Michael Andrzejewski¹, Karola Dette², •Andreas Gisen¹, Claus Gößling¹, Bettina Hillringhaus¹, Jennifer Jentzsch², Reiner Klingenberg¹, Arno Kompatscher³, Julia Rietenbach¹, Andre Rummler¹ und Felix Wizemann¹ — ¹TU Dortmund — ²CERN — ³CiS

Als Annealing wird das Beheben von Kristallschäden bezeichnet, wie sie zum Beispiel von ionisierender Strahlung hervorgerufen werden. Durch Erhitzen auf bestimmte Temperaturen über kurze Zeiträume kann dieser Effekt zur gezielten Verbesserung der Sensoreigenschaften genutzt werden. An verschiedenen n⁺-in-n-Siliziumsensoren, wie sie im Pixeldetektor des ATLAS-Experiments am LHC Verwendung finden, wurden die durch wiederholt durchgeführtes Annealing bewirkten Änderungen von verschiedenen Eigenschaften eines Sensors untersucht. Besonders betrachtet wurden mögliche Veränderungen der Strom-Spannungs-Kurven, des Tunings sowie des Ladungssammlungsverhaltens. Es wurden Sensoren verwendet, die mit Fluenzen von bis zu 2 · 10¹⁶ n_eq/cm² bestrahlt worden sind, was den Bedingungen des HL-LHC entspricht. Aus diesen Untersuchungen lassen sich wichtige Eigenschaften des Siliziums wie zum Beispiel die current related damage constant" α bestimmen.