Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Aktualisierungen | Downloads | Hilfe
T: Fachverband Teilchenphysik
T 117: Halbleiter 8
T 117.5: Vortrag
Donnerstag, 27. März 2014, 17:45–18:00, P108
Signalverluste in strahlengeschädigten Siliziumsensoren: Ermittlung der Lebensdauer von Ladungsträgern mittels Simulationen — •Thomas Poehlsen, Erika Garutti und Georg Steinbrück — Universität Hamburg
Untersuchungen in den letzten Jahren haben gezeigt, dass hochbestrahlte Siliziumsensoren, mit 1 MeV Neutronen equivalenten Fluenzen von über 1015 cm−2, eine höhere Ladungssammlungseffizienz (CCE) aufweisen, als aufgrund der standardmässig benutzten Einfangzeiten (trapping times) erwartet wird.
Die Feldverteilung und Ladungssammlung in Silizium-Flächen-Sensoren werden simuliert und eine verbesserte Parameterisierung der Einfangzeiten wird vorgestellt. Die ermittelten Lebensdauern liegen bis zu einem Faktor von zwei über den oft verwendeten Extrapolationen von Messungen bei kleinen Fluenzen.