Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Aktualisierungen | Downloads | Hilfe

T: Fachverband Teilchenphysik

T 60: Halbleiter 3

T 60.7: Vortrag

Dienstag, 25. März 2014, 18:20–18:35, P101

Limitationen an die Ortsauflösung von Siliziumdetektoren durch Delta Elektronen — •Fabian Wilk, Ariane Frey und Benjamin Schwenker — II. Physikalisches Institut, Universität Göttingen

Dank der breit aufgestellten Forschung an Siliziumdetektoren für Teilchenphysikexperimente und der Verwendung von modernen Fertigungstechniken stoßen heutige Sensoren zu immer kleineren Pixelgrößen vor. Diese Miniaturisierung führt dazu, dass bisher irrelevante Phänomene neue Bedeutung bekommen. Der Einfluss von Delta Elektronen auf die Ortsauflösung von pixelierten Detektorsystemen ist ein solcher Aspekt, welcher neue Relevanz bekommt.

Wir präsentieren eine Studie, welche separat den Einfluss von hoch- und niederenergetischen Delta Elektronen auf die Ortsauflösung evaluiert. Hierfür wurden sowohl Teststrahldaten, als auch simulierte Daten von DEPFET Sensoren verwendet, welche es mit Pixelgrößen von 20–50   µ m und einem sehr hohen Signal-zu-Rausch Abstand gestatten das Signal von einzelnen Delta Elektronen aufzulösen.

Hochenergetische Delta Elektronen treten selten auf, führen jedoch zu einer starken Verschmierung des Signalhits, hier sind die Rate mit welcher sie auftreten und die Verteilungen der ihrer Reichweiten im Detektor von Interesse. Niederenergetische Delta Elektronen sind omnipräsent, haben jedoch aufgrund ihrer kurzen Reichweite nur einen geringen Einfluss auf die Ortsauflösung. Mittels simulierter Verschlechterung des Sensor Signal-zu-Rausch Verhältnisses wurde untersucht, inwiefern eine Verbesserung dieser Kenngröße dem Einfluss der Delta Elektronen bei der Ortsauflösung entgegenwirken kann.