Berlin 2015 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 95: Poster IV B (Quantum dots and wires: Prepration, characterization, optical properties, and transport)

HL 95.17: Poster

Thursday, March 19, 2015, 14:00–20:00, Poster B

GaAs/GaP Quantenpunkt-LEDs — •Christian Golz — Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany

Im Rahmen der hier vorzustellenden Arbeit wird die Optimierung der Prozessierung von Leuchtdioden basierend auf GaAs Quantenpunkten eingebettet in einer GaP-Matrix präsentiert. Die hier verwendeten Proben wurden mittels Gasquellen-Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Die ausreichende Gitterfehlanpassung von 3,6% zwischen GaAs und GaP ermöglicht die selbstorganisierte Bildung von Quantenpunkten im Stranski-Krastanow-Wachstumsmodus auf GaP. Die GaAs/GaP Quantenpunkte sind in einen p-n-Übergang eingebettet und zeigen optische Emission zwischen 1,8 und 2 eV. Untersucht wurden dabei insbesondere die Mikrostrukturierung und Kontaktierung der Probe zur Optimierung der Elektrolumineszenzausbeute. Mit Photolithographie- und Ätzschritten wurden dabei der Halbleiter und auch die Kontakte nach einem für diese Proben entworfenen Muster strukturiert. Auch die Optimierung der Kontaktierung durch Metallaufdampfen und Annealing der Proben wurde untersucht.