Wuppertal 2015 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 11: Halbleiter: F&E 1

T 11.2: Talk

Monday, March 9, 2015, 14:15–14:30, I.12.02 (HS 31)

Messung von Modelparametern an Transistoren mit Strahlungsschäden — •Fabian Brands, Hans Krüger, Tomasz Hemperek und Norbert Wermes — Physikalisches Institut, Bonn, Deutschland

Die Messaufbauten in den Experimenten der Hochenergiephysik werden immer größeren Strahlungsdosen ausgesetzt. Die Gewährleistung der Funktionalität aller Bauteile selbst nach großen Strahlungsdosen ist daher ein immer wichtigerer Punkt in deren Entwicklung.

Aufgrund ihrer Nähe zum Wechselwirkungspunkt gehören insbesondere die integrierten Schaltkreise der Pixeldetektoren zu den am stärksten betroffenen Bauteilen. Um deren Zuverlässigkeit zu erhöhen, müssen Methoden zum Schaltungsentwurf mit erhöhter Toleranz gegenüber Strahlungsschäden entwickelt werden.

Das wichtigste Hilfsmittel dafür sind Simulationen, die die Funktionalität und Ausfallsicherheit vor der Fertigung gewährleisten. Diese Simulationen basieren auf Transistormodellen, für deren Berechnung wiederum Modelparameter benutzt werden, die an realen Transistoren gemessen wurden. Durch das Erweitern der Simulationen um die Modelparameter von bestrahlten Transistoren können die von sich aus bereits mächtigen Simulationen besser für die Entwicklung strahlenharter Transistorarchitekturen genutzt werden.

In diesem Vortrag wird ein Aufbau für die Messung dieser Modelparameter vorgestellt.