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16:45 |
T 63.1 |
Towards a new radiation model for proton-induced defects in silicon — •Elena Donegani, Eckhart Fretwurst, Erika Garutti, Alexandra Junkes, and Joern Schwandt
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17:00 |
T 63.2 |
Investigation of the insulator layers for segmented silicon sensors before and after X-ray irradiation — •Ioannis Kopsalis, Dominik Brueske, Erika Garutti, Robert Klanner, Joern Schwandt, Khai Ton That, and Jiaguo Zhang
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17:15 |
T 63.3 |
Der Beitrag wurde abgesagt (Dopplung mit T 35.9).
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17:30 |
T 63.4 |
Untersuchung der Depletionsspannung bestrahlter und unbestrahlter planarer n+-in-n Silizium-ATLAS-Pixelsensoren — Mona Abt, Silke Altenheiner, Karola Dette, Andreas Gisen, Claus Gössling, Jara Helmig, Jennifer Jentzsch, Reiner Klingenberg, Kevin Kröninger, Arno Kompatscher und •Felix Wizemann
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17:45 |
T 63.5 |
Annealing bestrahlter planarer n+-in-n ATLAS Pixel Siliziumsensoren — Mona Abt, Silke Altenheiner, Karola Dette, •Andreas Gisen, Claus Gößling, Jara Helmig, Jennifer Jentzsch, Reiner Klingenberg, Kevin Kröninger, Arno Kompatscher und Felix Wizemann
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18:00 |
T 63.6 |
Vergleich der Strahlenhärte von 3D- und dünnen planaren Pixelsensoren für das Phase II Upgrade des CMS-Experiments — Thomas Blank, Felix Bögelspacher, Michele Caselle, Alexander Dierlamm, Benedikt Freund, Simon Kudella, Thomas Müller und •Daniel Schell
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18:15 |
T 63.7 |
Characterization of thin irradiated epitaxial silicon sensors for the CMS phase II pixel 2 upgrade — •Matteo Centis Vignali, Doris Eckstein, Thomas Eichhorn, Erika Garutti, Alexandra Junkes, and Georg Steinbrück
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18:30 |
T 63.8 |
Investigation of the electric field in irradiated diamond sensors — •Florian Kassel, Tobias Barvich, Wim de Boer, Anne Dabrowski, Alexander Dierlamm, Robert Eber, Moritz Guthoff, Andreas Nürnberg, and Pia Steck
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18:45 |
T 63.9 |
Untersuchung der Temperatur- sowie der Bestrahlungsabhängigkeit von Silizium-Photodetektoren — •David Gerick für die LHCb Kollaboration
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