Hamburg 2016 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 96: Halbleiterdetektoren V (DEPFET)

T 96.3: Vortrag

Donnerstag, 3. März 2016, 17:15–17:30, VMP8 HS

Teststrahlmessungen an großen DEPFET Pixelsensoren für den Belle II Vertexdetektor — Jochen Dingfelder, Leonard Germic, Jan Cedric Hönig, Hans Krüger, •Florian Lütticke, Carlos Marinas, Botho Paschen und Norbert Wermes für die Belle II Kollaboration — SiLab, Physikalisches Institut, Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn, Deutschland

Der Super-KEKB Beschleuniger am KEK Forschungszentrum in Tsukuba, Japan wird nach dem momentan durchgeführten Upgrade eine um den Faktor 40 höhere Luminosität liefern. Um die höhere Datenrate ausnutzen zu können, wird der Belle Detektor zu Belle II aufgerüstet. Dabei werden die innersten beiden Lagen des neuen Vertexdetektors aus DEPFET Pixelsensoren bestehen, die näher an den Interaktionspunkt verschoben sind, um eine höhere Vertexauflösung zu erreichen. Ein DEPFET Pixel besteht aus einem MOSFET, dessen Source-Drain-Strom durch gesammelte Ladung moduliert wird und dadurch als erste Verstärkungsstufe dient. Dieser Strom wird im Drain-Current-Digitizer (DCDB) in digitale Werte gewandelt, die kontinuierlich ausgelesen werden und in dem Data-Handling-Processor (DHP) verarbeitet und über eine Hochgeschwindigkeitsverbindung an die Back-End-Elektronik gesendet werden. In diesem Vortrag werden Messungen einer Teststrahlkampagne und ortsaufgelöste Messungen mit einem Lasersystem verglichen, die an großen DEPFET Pixelsensoren mit mehreren ASICs vorgenommen wurden. Dabei wurden die Operationsparameter des Sensors verändert und damit die Ladungssammlungseigenschaften überprüft.