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O: Fachverband Oberflächenphysik

O 50: Semiconductor Substrates: Structure, Epitaxy, Growth and Adsorption

O 50.3: Poster

Dienstag, 21. März 2017, 18:30–20:30, P1A

Halbleiterheterostrukturen - Analyse und Interpretation kapazitätsspektrokopischer Messungen — •Martin von Sprekelsen und Wolfgang Hansen — Jungiusstraße 9, 20355 Hamburg

Mit Rasterkapazitätsmikroskopie können Ladungsträgerkonzentrationen bei fester Probenbias-spannung abgebildet und daraus Rückschlüsse auf zugrundeliegenden Dotierungsprofile gezogen werden. Bei heterogenen Halbleitern wird die räumliche Lage von Dotierungsübergängen mit Hilfe der Rasterkapazitätsspektroskopie ermöglicht. Messungen und Verfahren werden vorgestellt.