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T: Fachverband Teilchenphysik

T 67: Pixeldetektoren 3

T 67.5: Vortrag

Dienstag, 28. März 2017, 17:45–18:00, VSH 116

Vergleichsmessungen von planaren n-in-n und n-in-p Silizium Pixelsensoren — Silke Altenheiner¹, Karola Dette^1,2, •Sascha Dungs¹, Andreas Gisen¹, Claus Gössling¹, Marius Grothe¹, Reiner Klingenberg¹, Kevin Kröninger¹, Raphael Michallek¹ und Mareike Weers¹ — ¹TU Dortmund, Experimentelle Physik IV — ²CERN

Pixelsensoren lassen sich aus verschiedenen Substraten realisieren. Bei planaren n-in-n Sensoren wird ein n-dotierter, bei den n-in-p Sensoren dagegen ein p-dotierter Silizium Wafer verwendet. Die Pixelimplantationen bestehen in beiden Fällen aus einem n-dotierten Substrat.
Um Gemeinsamkeiten und Unterschiede herauszustellen, wurden Design und Sensoren beider Arten untersucht und miteinander verglichen.