Würzburg 2018 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 66: Halbleiterdetektoren / Strahlenhärte II

T 66.3: Talk

Wednesday, March 21, 2018, 17:00–17:15, Z6 - SR 2.010

Untersuchung der Kapazität hochbestrahlter n⁺-in-n Dioden — Silke Altenheiner, Andreas Gisen, Claus Gössling, Marius Hötting, Jonas Lönker, Reiner Klingenberg, Kevin Kröninger und •Felix Wizemann — TU Dortmund, Experimentelle Physik IV

Im Zuge des High-Luminosity Upgrades des LHCs entstehen für die Siliziumspurdetektoren der LHC Experimente erhöhte Anforderungen an Strahlenhärte. Die durch Strahlenbelastung entstandenen Schäden am Kristallgitter verändern die Eigenschaften der Detektoren wie die Ladungssammlungseffizienz als auch die benötigte Betriebsspannung.

Zum Verständnis der Auswirkungen dieser Schäden werden unter anderem bestrahlte Dioden untersucht. Eine Methode zur Bestimmung von Parametern wie der effektiven Dopingkonzentration ist die Messung der Kapazität in Abhängigkeit der Spannung

Vorgestellt werden Messungen der Kapazität bestrahlter Dioden unter Variation verschiedener Parameter wie Annealingdauer, Messfrequenz und Temperatur.