Würzburg 2018 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 66: Halbleiterdetektoren / Strahlenhärte II

T 66.4: Vortrag

Mittwoch, 21. März 2018, 17:15–17:30, Z6 - SR 2.010

Vergleich von n- und p-artigem Bulkmaterial für Siliziumsensoren — Silke Altenheiner¹, Sascha Dungs^1,2, Andreas Gisen¹, Claus Gössling¹, Marius Hötting¹, Reiner Klingenberg¹, Kevin Kröninger¹, •Jonas Lönker¹ und Felix Wizemann¹ — ¹TU Dortmund, Lehrstuhl für Experimentelle Physik IV — ²CERN

Für Trackingdetektoren aus Silizium bieten sich, je nach Anforderung, drei sinnvolle Möglichkeiten an: n-dotierte Ausleseelektroden in entweder n- oder p-dotiertem Bulkmaterial sowie p-dotierte Strukturen in n-dotiertem Bulk (n-in-p).
In der Vergangenheit konnte produktionsbedingt häufig nur n-dotiertes Bulkmaterial verwendet werden. Mittlerweile ist es ebenfalls möglich, qualitativ hochwertiges p-dotiertes Silizium zu fertigen. Die Produktion von n-in-n Wafern erfordert eine beidseitige Prozessierung der Wafer und ist somit aufwendiger und teurer. Da n-artige Ausleseelektroden Elektronen sammeln, die im Vergleich zu Löchern eine höhere Mobilität aufweisen, wird p-in-n häufig nicht mehr verwendet. n-in-p vereinigt also die vorteilhaften Eigenschaften der drei genannten Varianten.
Für Dortmund werden in drei verschiedenen Produktionen sowohl n-in-n als auch n-in-p Wafer produziert, auf denen neben diversen Teststrukturen auch Pixel- und Streifensensoren platziert wurden. Präsentiert werden Ergebnisse der vergleichenden Charakterisierung unbestrahlter Strukturen.