Aachen 2019 – scientific programme
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 2: Halbleiterdetektoren I
T 2.8: Talk
Monday, March 25, 2019, 17:45–18:00, H02
Untersuchung von Ladungsvervielfachung in p-Typ Silizium-Streifendetektoren nach langen Annealingzeiten — •Leena Diehl, Riccardo Mori, Marc Hauser, Ulrich Parzefall und Liv Wiik-Fuchs — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg
Hochenergetische Teilchen verursachen Schäden in Siliziumdetektoren, was zu Defektbildung und dadurch zu einer steigenden effektiven Dotierungskonzentration in p-Typ Detektoren führt. Die entstandenen Gitterdefekte sind beweglich und die effektive Dotierungskonzentration steigt nach kurzer Abnahme mit der Zeit weiter an. Wenn sie hoch genug ist, kann der Effekt der Ladungsvervielfachung auftreten. Bei der Untersuchung dieses Phänomens in lang annealten p-Typ Streifendetektoren wurden starke Veränderungen im gemessenen Signal festgestellt: vervielfachte Löcher tragen einen signifikanten und langsamen Teil zum Signal bei, der auch auf den sogenannten Plasma-Effekt hinweist. Das heißt, dass Driftzeiten der Ladungen durch einen Abschirmungseffekt vom bestehenden elektrischen Feld innerhalb einer Gruppe freier Ladungsträger verlängert wurden. Die zugrundeliegende Messkampagne sowie die veränderten Signalpulse in Sensoren, die mit einer Fluenz höher als 1· 1015 neq/cm2 bestrahlt und bei unterschiedlichen Temperaturen Langzeit-annealed wurden, werden in diesem Vortrag präsentiert.