Bonn 2020 – scientific programme
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 110: Combined instrumentation session IV: Semiconductor detectors (joint session HK/T)
T 110.3: Talk
Friday, April 3, 2020, 11:30–11:45, H-HS XV
Studie zur Auswirkung von Strahlenschäden auf die Zwischenstreifenisolation von n-in-p Siliziumstreifensensoren — Felix Bögelspacher, Alexander Dierlamm, Thomas Müller, •Jan-Ole Müller-Gosewisch, Andreas Nürnberg, Hans Jürgen Simonis und Pia Steck — Institut für Experimentelle Teilchenphysik (ETP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Der Gebrauch von n-in-p Siliziumstreifensensoren erfordert eine spezifische Zwischenstreifenisolation. Ohne diese kommt es insbesondere nach Bestrahlung durch Akkumulation von Ladungsträgern an der Oberfläche zu einem Kurzschluss der Streifen und einer Verringerung der Ortsauflösung. Ein Maß für die Güte der Isolation ist der Zwischenstreifenwiderstand. Entgegen den Erwartungen wurde bei Sensoren ohne spezifische Isolation ein ausreichend hoher Widerstand zwischen den Streifen nach Protonenbestrahlung mit einer Fluenz von 1015neq/cm2 beobachtet. Für ein genaueres Verständnis der beitragenden Effekte auf die Streifenisolation wurden Sensoren ohne Zwischenstreifenimplantat mit Röntgenstrahlen, Protonen und Neutronen bestrahlt. In diesem Vortrag werden Messungen und Simulationen der Zwischenstreifenwiderstände für unterschiedlichen Bestrahlungszusammensetzungen gezeigt und bewertet.