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T: Fachverband Teilchenphysik
T 60: Silicon Strip Detectors I
T 60.2: Talk
Wednesday, March 17, 2021, 16:15–16:30, Tj
Charakterisierung passiver CMOS Sensoren — Marta Baselga1, Leena Diehl2, Ingrid-Maria Gregor1,3, Tomasz Hemperek3, •Jan Cedric Hönig2, Ulrich Parzefall2, Arturo Rodriguez2, Surabhi Sharma1, Dennis Sperlich2, Tianyang Wang3 und Liv Wiik-Fuchs1 — 1Deutsches Elektronen-Synchrotron DESY — 2Hermann Herder Str.3 — 3Rheinische Friedrich-Wilhelms-Universität Bonn
Ein Trend in zukünftigen Experimenten der Hochenergiephysik ist es, immer größere Teile des Detektors aus Silizium zu fertigen. Das macht Siliziumsensoren zu einem der größten Kostenpunkte für die Experimente. Ein Weg die Kosten für den Detektor zu senken ist die Nutzung von CMOS Produktionsstraßen, die für die Produktion von Wafern in großen Mengen ausgelegt sind. In diesem Vortrag werden Labormessungen erster Prototypen für passive CMOS Streifensensoren vorgestellt. Es wurden drei Sensortypen, mit Streifenlängen zwischen 2 und 4 cm, auf einem 150 Mikrometer dicken Wafer von LFoundry verwirklicht. Die Sensoren wurden aus einzelnen Elementen durch stitching zu einer Einheit zusammengefasst. Stitching erlaubt es, unter Verwendung von in der Industrie üblichen Masken Strukturen beliebiger Größe auf dem Wafer zu verwirklichen. Ein Hauptanliegen der Studie war die Charakterisierung von Auswirkungen des stitchings auf die Funktionalität der Streifensensoren. Zu diesem Zweck wurden die Sensoren elektrisch charakterisiert. Ferner wurden durch ortsaufgelöste Messungen mit einem Laser, die Konfiguration des elektrischen Feldes und die Ladungssammlung untersucht.