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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 44: Nitrides: Preparation and characterization II

HL 44.11: Vortrag

Donnerstag, 21. März 2024, 16:45–17:00, EW 015

HfN as conductive buffer for GaN epitaxy — •Christopher Lüttich, Florian Hörich, Jürgen Bläsing, André Strittmatter, and Armin Dadgar — Otto-von-Guericke Universität, Magdeburg

Hafniumnitrid-Schichten wurden mittels eines reaktiven DC magnetron Sputterprozess auf Si gewachsen unter verschiedenen Bedingungen. Diese Schichten wurden mit Galliumnitrid überwachsen, mit dem Ziel, vertikale Leitfähigjeit vom Substrat durch die Pufferschicht zum Galliumnitrid zu erreichen.

Keywords: sputter epitaxy; Hafnium nitride; new materials