München 1997 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 206: Halbleiterdetektoren II

T 206.2: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 14:25–14:40, 223

Messung v. Pixelstrukturparametern und deren Veränderung durch Strahlenschäden — •Jens Wüstenfeld¹, Christian Becker¹, Claus Gößling¹, Fabian Hügging¹, Sebastian Küstermann¹, Peter Mättig² und Renate Wunstorf¹ — ¹Uni Dortmund, Exp. Physik IV, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund — ²CERN, Genf

Zur Untersuchung designabhängiger Parameter von Pixeldetektoren wurden Teststrukturen entworfen und hergestellt. Diese enthalten verschiedene Pixelabmessungen und Implantationsbreiten. An den Strukturen wurden Abhängigkeiten der Strom- und Spannungskennlinien und der Zwischenstreifenkapazitäten vom Design der Pixelstrukturen untersucht. Um den designabhängigen Einfluß der Oberflächenschädigung auf die Eigenschaften der Pixelstrukturen zu untersuchen, wurden diese mit einem modifizierten Elektronenmikroskop bestrahlt. Wegen der niedrigen Elektronenenergien ist eine Kristallschädigung ausgeschlossen. Für verschiedene Dosiswerte wurden die Kennlinien unter Berücksichtigung des Designs verglichen und zu einer systematischen Untersuchung der Schädigungseinflüße auf die Struktureigenschaften herangezogen.