Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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CP: Chemische Physik
CP 4: Organische Leiter und SupraleiterOrganisation: D. Schweitzer
CP 4.14: Vortrag
Dienstag, 18. März 1997, 15:45–16:00, Ger
Anorganisch/Organische Halbleiter Grenzschichten: GaAs/PTCDA — •Ute Schuhmacher, T. Rais und G. Denninger — 2. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart
Im Hinblick auf die Emission spinpolarisierter Elektronen aus GaAs in aufliegende
Schichten aus organischen Molekülen wurden GaAs/PTCDA/Au und ITO/PTCDA/Au
Schichtstrukturen hergestellt (PTCDA: Perylen-Tetra-Carbonsäure Di-Anhydrid,
ITO: Indium-Zinn-Oxid). Für PTCDA spricht die im Bezug zu GaAs günstige Lage
der Energieniveaus und das gute Aufwachsverhalten in dünnen Schichten.
PTCDA wurde im Vakuum aufsublimiert (500nm - 1µm Schichtdicke)
und eine transparente Goldelektrode aufgedampft.
Wir berichten über temperatur- und frequenzabhängige I(U) Kennlinien, C-U Messungen und
spektral aufgelöste Photospannungsmessungen. Zusätzlich wurden die Proben mit
SIMS und mikroskopischen Methoden im Hinblick auf die mögliche Diffusion von Gold in die
organische Schicht charakterisiert.