DS 24: Ionenimplantation I
Thursday, March 20, 1997, 11:00–12:30, H 55
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11:00 |
DS 24.1 |
Bildung metastabiler Eisenkarbidphasen nach Kohlenstoffionenimplantation in reines Eisen — •A. Königer, C. Hammerl, T. Jahn, H. Huber, W. Assmann und B. Rauschenbach
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11:15 |
DS 24.2 |
Der Einflu"s von Ionenimplantation auf die tribologischen Eigenschaften von Siliziumnitridkeramik — •F. Brenscheidt, E. Wieser, A. M"ucklich, and W. M"oller
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11:30 |
DS 24.3 |
CEMS- und AES-Untersuchungen an Eisendisiliziden — •M. Dobler, H. Reuther und W. Möller
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11:45 |
DS 24.4 |
Einflu"s von Molybd"an auf die Rekristallisation von amorphen Silizium — •S. Thoma, J.K.N. Lindner, and B. Stritzker
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12:00 |
DS 24.5 |
Trackbildung in kristallinem InP bei 250MeV Xe-Implantation — •O. Herre, P.J. Gaiduk, P. Meier, E. Wendler, F.F. Komarov, S. Klaumünzer und W. Wesch
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12:15 |
DS 24.6 |
Radiation Damage of Silicon by MeV Ag Implantation — •Z. Zhang, J.K.N. Lindner, and B. Stritzker
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