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Münster 1997 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 24: Ionenimplantation I

Thursday, March 20, 1997, 11:00–12:30, H 55

11:00 DS 24.1 Bildung metastabiler Eisenkarbidphasen nach Kohlenstoffionenimplantation in reines Eisen — •A. Königer, C. Hammerl, T. Jahn, H. Huber, W. Assmann und B. Rauschenbach
11:15 DS 24.2 Der Einflu"s von Ionenimplantation auf die tribologischen Eigenschaften von Siliziumnitridkeramik — •F. Brenscheidt, E. Wieser, A. M"ucklich, and W. M"oller
11:30 DS 24.3 CEMS- und AES-Untersuchungen an Eisendisiliziden — •M. Dobler, H. Reuther und W. Möller
11:45 DS 24.4 Einflu"s von Molybd"an auf die Rekristallisation von amorphen Silizium — •S. Thoma, J.K.N. Lindner, and B. Stritzker
12:00 DS 24.5 Trackbildung in kristallinem InP bei 250MeV Xe-Implantation — •O. Herre, P.J. Gaiduk, P. Meier, E. Wendler, F.F. Komarov, S. Klaumünzer und W. Wesch
12:15 DS 24.6 Radiation Damage of Silicon by MeV Ag Implantation — •Z. Zhang, J.K.N. Lindner, and B. Stritzker
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