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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.28: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

β -NMR Messungen an ¹²B in CdTe — •W.-D. Zeitz¹, E. Oldekop¹, V. Eyert¹, S. Hermann¹, F. Niedermeyer¹ und M. Wienecke² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin — ²Fachbereich Physik, Humboldt Universität, Invalidenstr. 110, D-10115 Berlin

Mit Hilfe der auf diamagnetische Sonden empfindlichen β -NMR-Methode untersuchen wir die Implantation und das Ausheilverhalten von Bor in CdTe bei sehr kleinen Borkonzentrationen ( 10⁸ cm⁻³ ).
Den Messungen zufolge wird bei Raumtemperatur ein Anteil von etwa 20% des Bors substitutionell eingebaut. Dieser Anteil wächst mit steigender Implantationstemperatur und erreicht etwa 45% bei 600K. Die experimentellen Daten legen nahe, daß das Ausheilverhalten des substitutionell eingebauten Bors elektronischer Natur ist und durch die Umwandlung von paramagnetischem in diamagnetisches Bor beim Einbau in den Halbleiter bestimmt wird.
Parallel dazu durchgeführte ASW-Bandstrukturrechnungen auf der Grundlage der Dichtefunktionaltheorie erlauben es, den Einbau von Bor im Te- bzw. Cd-Gitter näher zu untersuchen. Demzufolge besetzt Bor den substitutionellen Te-Platz und verhält sich dabei wie ein Akzeptor.