Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.31: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Dotierungsabhängige Diffusion des Cd in ZnCdSe/ZnSe-Übergittern — •M. Kuttler¹, M. Strassburg¹, U.W. Pohl¹, D. Bimberg¹, E. Kurtz², G. Landwehr² und D. Hommel³ — ¹Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin — ²Experimentelle Physik III, Universität Würzburg — ³Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen

Die Diffusion der Komponenten von Verbindungshalbleitern zeigt eine starke Abhängigkeit von Eigenfehlstellen oder Dotierungen. Bei ZnCdSe/ZnSe-Übergittern sind insbesondere die Auswirkung üblicher Dotierungen (Cl,N) auf das diffusive Verhalten des Cd bislang unbekannt. Untersuchungen mittels Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) zeigen, daß der Diffusionskoeffizient des Cd in ZnCdSe/ZnSe-Übergittern im Temperaturbereich 300 - 550^oC extrem von der Hintergrunddotierung abhängt. Während in Chlor-dotierten Strukturen keine Diffusionserhöhung des Cd gegenüber undotierten Strukturen zu verzeichnen ist, führt eine Stickstoffdotierung zu einer starken Diffusionserhöhung des Cd. Im N-dotierten Material wird der Diffusionskoeffizient des Cd um über 4 Größenordnungen erhöht. Implantationsexperimente belegen, daß die diffusionserhöhende Wirkung der N-Dotierung auf die p-Leitung zurückzuführen ist.