Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 2: Störstellen I

HL 2.9: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 12:30–12:45, H1

EL2-induzierte Reflektionänderung in semi-isolierendem GaAs — •Volker Alex¹ und Jörg Weber² — ¹MPI für Festkörperforschung Heisenbergstr.1 70569 Stuttgart — ²MPI für Festkörperforschung Heisenberstr. 1 70569 Stuttgart

Der As-Antisite korrellierte EL2-Defekt kann durch Bestrahlung mit Licht einer Wellenlänge von etwa 1000nm bei tiefen Temperaturen in einen ungeladenen metastabilen Zustand überführt werden. Wir stellen Photolumineszenz- und Reflektionsmessungen an semi-isolierendem GaAs im Bereich der selektiven Donator-Akzeptor-Paar Anregung vor. Der Übergang des EL2 in seinen metastabilen Zustand bewirkt hierbei ein vollständiges Verschwinden der selektiven Paar-Lumineszenz und eine starke Erhöhung der Reflektion. Wir erklären diese Beobachtungen mit EL2-induzierten Änderungen des Kompensationsgrades der Proben.