HL 25: GaN I
Donnerstag, 20. März 1997, 10:15–12:15, H1
 |
10:15 |
HL 25.1 |
Molekularstrahlepitaxie von Aluminiumnitrid auf Siliziumkarbid — •S. Karmann, U. Kaiser, J. Kräußlich, G. Peiter, Ch. Schmidt, A. Fissel und W. Richter
|
|
|
|
10:30 |
HL 25.2 |
Ausheilen struktureller Defekte in GaN nach Schwerionenimplantation — •H. Hofsäss, M. Dalmer, M. Deicher, M. Restle, C. Ronning, M.D. Bremser und R.F. Davis
|
|
|
|
10:45 |
HL 25.3 |
Optimierung eines Hochtemperatur Gasphasenprozesses zur Herstellung von GaN — •Stefan Fischer, Ferdinand Anders, Ingo Dirnstorfer, Michael Topf und Bruno K. Meyer
|
|
|
|
11:00 |
HL 25.4 |
Verspannung und Relaxation im Materialsystem (Al In Ga)N — •O. Gfrörer, T. Schlüsener, V. Härle, F. Scholz und A. Hangleiter
|
|
|
|
11:15 |
HL 25.5 |
Tiefe Elektronentraps in MBE-gewachsenem hexagonalem GaN — •A. Krtschil, M. Lisker, H. Witte, J. Christen, S. Einfeldt und D. Hommel
|
|
|
|
11:30 |
HL 25.6 |
Strukturelle Defekte und Störstellen in InGaN — •A. Graber, R. Averbeck, H. Riechert, H. Tews, B.K. Meyer, W. Kriegseis und J. Christen
|
|
|
|
11:45 |
HL 25.7 |
N-K-edge EXAFS Study of Epitaxial GaN Films — •M. Katsikini, E.C. Paloura, M. Fieber-Erdmann, T.D. Moustakas, H. Amano, and I. Akasaki
|
|
|
|
12:00 |
HL 25.8 |
Herstellung von GaN mittels Nitridierung von GaAs mit Ammoniak — •A. Krost, K. Schatke, A. Dadgar, F. Heinrichsdorff, U.W. Pohl, D. Bimberg, H. Siegle, C. Thomsen, T. Hempel und J. Christen
|
|
|