Münster 1997 –
wissenschaftliches Programm
HL 26: Grenzflächen/Oberflächen
Donnerstag, 20. März 1997, 10:15–12:15, H2
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10:15 |
HL 26.1 |
Wachstum und Grenzflächenzustände in CaF2/Si(111) — •M. Dähne-Prietsch, I. Manke, T. Kalka, H.J. Wen und G. Kaindl
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10:30 |
HL 26.2 |
Wafer-Direktbonden von Galliumarsenid gegen Saphir: Struktur und Morphologie der Grenzschicht — •P. Kopperschmidt, St. Senz, G. K"astner, D. Hesse, and U. M. G"osele
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10:45 |
HL 26.3 |
Facettierung von Spaltstufen auf InP(110) bei thermischer Behandlung unter Langmuir-Bedingungen — •M. Heinrich, Ph. Ebert, C. Domke und K. Urban
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11:00 |
HL 26.4 |
Elektronische Korrelationen auf Halbleiteroberflächen — •Beate Paulus, Peter Fulde und Hermann Stoll
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11:15 |
HL 26.5 |
Defekte und Defektkomplexe auf und unter GaAs- und GaP-Oberflächen — •G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler
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11:30 |
HL 26.6 |
Dynamische Lokalisation und Abschirmungseffekte als Erklärung für durch die Oberfläche induzierte optische Anisotropie — •U. Rossow, L. Mantese und D.E. Aspnes
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11:45 |
HL 26.7 |
Hochaufgelöste Abbildung von Halbleiterstrukturen mit einem Subångstrøm-Transmissionselektronenmikroskop (SATEM) — •M. Haider, E. Schwan, S. Uhlemann, B. Kabius, M. Foschepoth und H. Kohl
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12:00 |
HL 26.8 |
Wachstum und elektronische Struktur von epitaktischen Grenzflächen zwischen Dy- und Er-Siliziden und Si(111) — •I. Manke, T. Kalka, H. Wen, S. Vandré, M. Dähne-Prietsch und G. Kaindl
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