Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 30: GaN II

Donnerstag, 20. März 1997, 15:30–19:30, H1

	15:30	HL 30.1	Bildung und Stabilität von Akzeptor-Wasserstoff-Paaren in GaN — •A. Burchard, M. Deicher, D. Forkel-Wirth, E.E. Haller, R. Magerle, A. Prospero und A. Stötzler
	15:45	HL 30.2	RTM-angeregte und spektral aufgelöste Lumineszenz von epitaktischen GaN-Schichten — •M. Ortsiefer, P. Radojkovic, M. Topf, M. Schwartzkopff und E. Hartmann
	16:00	HL 30.3	Elektrische Eigenschaften von dotierten und undotierten GaN und AlxGa1−xN — •Roman Dimitrov, Helmut Angerer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann
	16:15	HL 30.4	Lasergestützte Epitaxie von AlN auf Si, Saphir und SiC — •Gudrun Henn und Helmut Schröder
	16:30	HL 30.5	Bandkantennahe Photolumineszenz von kubischen GaN/GaAs Epitaxieschichten — •D.J. As, F. Schmilgus, C. Wang, B. Schöttker, D. Schikora und K. Lischka
	16:45	HL 30.6	Druckuntersuchungen lokalisierter Defekte in GaN — •C. Wetzel, J.W. Ager III, E.E. Haller, W.G. Perry und R.F. Davis
	17:00	HL 30.7	Kathodolumineszenzmikroskopie von hexagonalen GaN-Schichten — •F. Bertram, T. Hempel, P. Veit, J. Christen, S. Fischer, B. Mayer, S. Einfeldt und D. Hommel
	17:15	HL 30.8	Effektive Massen und Valenzband-Aufspaltungen in GaN und AlN — •J.A. Majewski, M. Städele und P. Vogl
	17:30	HL 30.9	Strukturierte und freitragende GaN Schichten hergestellt mittels Laser-induzierter Dekomposition — •M. K. Kelly, O. Ambacher, R. Dimitrov, H. Angerer, R. Handschuh und M. Stutzmann
	17:45	HL 30.10	Diffusion von Ga und N Adatomen auf GaN (001) Oberflächen — •Tosja Zywietz, Jörg Neugebauer und Matthias Scheffler
	18:00	HL 30.11	MBE Wachstum von GaN auf SiC und Saphir — •D. Freundt, D. Holz, M. Romani, A. Rizzi, G. Crecelius, D. Guggi, H. Lüth, B. Neubauer und D. Gerthsen
	18:15	HL 30.12	Elektronische und vibronische Eigenschaften von GaN auf 6H-SiC — •A. Rizzi, D. Freundt, D. Holz, M. Romani und H. Lüth
	18:30	HL 30.13	Leuchtdioden auf GaN-Basis, hergestellt mit MBE und MOVPE — •M. Mayer, C. Kirchner, A. Pelzmann, M. Schauler, F. Eberhard, M. Kamp, P. Unger und K.J. Ebeling
	18:45	HL 30.14	Polaritoneneigenschaften von GaN-Epischichten — •A. Göldner, L. Eckey, A. Hoffmann, I. Broser und K. Hiramatsu
	19:00	HL 30.15	Strahlende Lebensdauer von Exzitonen in GaInN/GaN-Quantenfilmen — •J. S. Im, F. Steuber, V. Härle, F. Scholz und A. Hangleiter
	19:15	HL 30.16	Herstellung und Untersuchung von optisch gepumpten GaInN-DFB-Lasern — •V. Wagner, R. Hofmann, H.–P. Gauggel, H. Bolay, F. Scholz und H. Schweizer