Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 13: Epitaxie auf Verbindungshalbleitern

Dienstag, 18. März 1997, 09:30–11:15, S 1

	09:30	O 13.1	Morphologie und Rumpfniveau-Verschiebungen von MBE-präparierten GaAs(112)A(B)-und (114)A(B)-Oberflächen — •Jutta Platen, Carsten Setzer, Wolfgang Ranke und Karl Jacobi
	09:45	O 13.2	Elektrochemische Metallabscheidung an Halbleitern — Vergleich mit der Vakuumdeposition — •G. Scherb, A. Kazimirov, J. Zegenhagen, R. Feidenhans’l und D.M. Kolb
	10:00	O 13.3	Ag(001)-Filme auf Fe/GaAs(001): Von chemisch reinen Ag-Oberflächen zu atomaren Ga-Strukturen — •F. Meisinger, D.E. Bürgler, C.M. Schmidt, D.M. Schaller und H.-J. Güntherodt
	10:15	O 13.4	Rumpfniveau- und Valenzbandspektroskopie am System Ag/InP(100) — •S. Sloboshanin, A. Goldmann und J. A. Schaefer
	10:30	O 13.5	Epitaxie von 2-6 Halbleitern auf van der Waals Oberflächen — •T. Löher, A. Klein, R. Rudolph, E. Schaar-Gabriel, C. Pettenkofer und W. Jaegermann
	10:45	O 13.6	Van der Waals-Epitaxie von Indiumselenid-Schichten: Nukleation, Wachstum und elektronische Eigenschaften — •E. Schaar-Gabriel, O. Lang, R. Rudolph, S. Kubala, A. Klein, C. Pettenkofer und W. Jaegermann
	11:00	O 13.7	Die Grenzfläche von Indiumoxid mit GaAs — •A. Klein, O. Henrion, C. Pettenkofer, W. Jaegermann, B. Mishori, N. Bachrach Ashkenasy und Y. Shapira