Münster 1997 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 22: POSTER II
O 22.75: Poster
Wednesday, March 19, 1997, 14:15–15:45, AULA
Aufbau eines Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsmikroskops — •A. Born, C. Wobbe und R. Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik und Mikrostrukturzentrum, Universität Hamburg, Jungiusstr. 11 a, D-20355 Hamburg
Um den immensen Speicherbedarf moderner Software zu befriedigen, muß
der Speicherplatz der einzelnen informationstragenden Einheit immer kleiner
werden. Auf den neuesten Festplatten werden Speicherdichten von mehreren
Bit/ µ m2 erzielt. Eine Steigerung um mehrere Größenordnungen verspricht
der Einsatz von Rastersondenmethoden. Der große Nachteil lag bei ihnen
bisher in der relativ geringen Datentransferrate.
Das von uns entwickelte Hochgeschwindigkeits-Rasterkapazitätsmikroskop
(HS-SCM) erreicht hingegen Datentransferraten von mehreren
100 kBit/s.
Der Speichermechanismus basiert auf Ladungsspeicherung in einer
Nitrid-Oxid-Silizium Struktur. Diese Art der Speicherung ist reversibel,
schnell (100ns) und zerstört die Oberfläche nicht. Ausgelesen werden die
gespeicherten Informationen durch eine Kapazitätsmessung, die auf einem
Schwingkreis im GHz-Bereich beruht. Dies erlaubt eine Datentransferrate
von mehreren MBit/s.